发明人：李金国;赵乃仁;王志辉;金涛;侯桂臣;郑启;孙晓峰;管恒荣;胡壮麒。申请日： 2003-07-16。公开日：   2005-01-26

本发明涉及单晶高温合金的制备技术,特别提供了一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构。其方法是以籽晶法为基础,预置籽晶于模壳内,在起始端设一缩颈结构,抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶,使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。所用模壳结构为预置籽晶的模壳结构,在模壳底部设一缩颈结构,于籽晶生长起始部位的上方。本发明是将以往的籽晶法起始端设计与缩颈选晶器的设计结合起来,从而这样既可以对单晶生长的起始过程出现的杂晶进行抑制和排除,又可以保证获得所需的晶体取向,提高单晶生长的成功率。