发明人：罗天骄;杨院生;史宝良;冯小辉;李应举;胡壮麒。申请日：2012-08-14。公开日：2013-01-30

本实用新型属于金属材料制备领域,具体涉及一种由工业纯镁制备超高纯金属镁的装置。在真空室的底部设置真空室炉盖,真空室炉盖上设有原料石墨坩埚、高纯镁收集器石墨坩埚,原料石墨坩埚的外侧设置与温度控制器Ⅰ相连的加热炉Ⅰ,加热炉Ⅰ的顶部设置与温度控制器Ⅱ相连的加热炉Ⅱ,加热炉Ⅱ的内部设置冷凝器,冷凝器通过溜槽连至高纯镁收集器石墨坩埚。本实用新型可以直接对工业镁锭或者添加少量铁粉的工业纯镁锭进行真空蒸溜,真空室的真空度控制在2－15Pa,冷凝区域温度控制在660－750°C,原料区域温度控制在760－850°C,从而直接生成超高纯金属镁锭。本实用新型获得纯度大于或等于99.99wt%超高纯金属镁,完全能够满足国防、电子及生物工程材料等领域的需求。