发明人：李冬剑;胡壮麒;丁炳哲;姚斌。申请日：1993-05-25。公开日：1994-11-30

本发明为一种块状致密纳米晶的制备方法,可以用下述两种方式实现,其一的工艺过程依下述步骤进行:在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa～10GPa,加热至熔化；在高压下冷却,冷速1ks^－1～300ks^－1,至室温；卸压。其二的工艺过程依下述步骤进行:在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa～10GPa,温度在熔点下100°K的范围；在高压下冷却,冷速1ks^－1～1000ks^－1。本发明可以使得制取的合金致密且无界面污染。