发明人：葛云龙;杨院生;焦育宁;刘清民;刘传胜;胡壮麒。申请日：1992-12-19。公开日：1994-06-29

本发明属于单晶材料的制备方法,其工艺方法是单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场,电磁场为直流电产生的恒稳磁场或交流电产生的交变磁场,料棒送进速度和提拉速度(晶体生长速度)连续可调,料棒和单晶体在磁场中作轴向旋转,采用稳定的机械装置提拉出单晶。优点是：有效的克服了对已有各种浮区熔化晶体生产造成的缺陷——重力对流、温差热对流和表面张力对流对晶体生长所造成的破坏。