发明人：葛云龙;杨院生;焦育宁;刘清民;刘传胜;胡壮麒。申请日：1993-04-10。公开日：1993-12-01

本结构属于单晶材料制备装置,其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源,与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极,使熔区内形成均匀磁场,磁场为环形磁铁,在环形磁铁的中间绕有线圈,磁场为恒定磁场,也可为交变磁场,磁极放在底座上。其优点是：把恒稳或交变磁场施加到浮区熔池上,固熔体置于外加磁场中,其流动便出现感生电流和磁场,以形成电磁制动力,保证晶体稳定生长,单晶质量好。